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STB43N65M5备选型号: IPB65R099C6ATMA1
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 已出版
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 650V 42AACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICOND2PAK-0079457-A242A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, MDmesh™活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明STB43NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET250WDRAIN73 nsN-ChannelSWITCHING63m Ω @ 21A, 10V5V @ 250μA4400pF @ 100V100nC @ 10V±25V42A25V0.063Ohm650V650 mJ150°C4.83mmROHS3 Compliant无铅-----------
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON-38A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)CoolMOS™Discontinued1 (Unlimited)2-SINGLE鸥翼未说明未说明-R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET-DRAIN10.6 nsN-ChannelSWITCHING99m Ω @ 12.8A, 10V3.5V @ 1.2mA2780pF @ 100V127nC @ 10V±20V38A20V0.099Ohm-845 mJ--ROHS3 Compliant含铅12 Weeks32008nonot_compliant4无卤素9ns6 ns650V115A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | 对比 |
 | FCB110N65F | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK | 对比 |
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