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STB45N50DM2AG备选型号: IPB65R099C6ATMA1
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- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 连续放电电流(ID)
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
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- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 35AACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB35A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STB45NN-Channel84m Ω @ 17.5A, 10V5V @ 250μA2600pF @ 100V57nC @ 10V500V±25V35AROHS3 Compliant------------------------
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB38A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)CoolMOS™Discontinued1 (Unlimited)-未说明未说明-N-Channel99m Ω @ 12.8A, 10V3.5V @ 1.2mA2780pF @ 100V127nC @ 10V-±20V38AROHS3 Compliant3SILICON2008no2SINGLE鸥翼not_compliant4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN10.6 nsSWITCHING无卤素9ns6 ns20V650V0.099Ohm115A845 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| STB34N50DM2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 26A | 对比 |
| STB43N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 42A | 对比 |
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