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STB46N30M5备选型号: IPB407N30NATMA1
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 已出版
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 无铅
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK17 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON250W TcAutomotive, AEC-Q101, MDmesh™ VCut Tape (CT)150°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明STB46NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 26.5A, 10V5V @ 250μA4240pF @ 100V95nC @ 10V300V±25V53A0.04Ohm212A300V550 mJROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH TO263-313 Weeks-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON44A TcOptiMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2-SINGLE鸥翼未说明未说明-R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel-40.7m Ω @ 44A, 10V4V @ 270μA7180pF @ 100V87nC @ 10V-±20V44A0.0407Ohm--240 mJROHS3 Compliant2013yesnot_compliant116 ns无卤素20V300V300V175°C4.7mm含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
 | FQB14N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK | 对比 |
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