STMicroelectronics STB46N30M5

工厂交货时间

17 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

53A Tc

系列

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STB46N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 26.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4240pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

95nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

300V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

53A

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

212A

DS 击穿电压-最小值

300V

雪崩能量等级（Eas）

550 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant