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STB55NF03LT4备选型号: IRL3103STRLPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 已出版
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-Ch 30 Volt 55 AmpNRND (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON55A Tc175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)逻辑电平兼容鸥翼24530STB55N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET80WDRAIN28 nsN-ChannelSWITCHING13m Ω @ 27.5A, 10V1V @ 250μA1265pF @ 25V27nC @ 4.5V400ns±16V50 ns55A1V16V0.02Ohm30V220A无SVHC无ROHS3 Compliant---------- MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON64A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99-雪崩 额定鸥翼26030--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN8.9 nsN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 34A, 10V1V @ 250μA1650pF @ 25V33nC @ 4.5V120ns±16V9.1 ns64A-16V-30V220A-无ROHS3 CompliantTin200412MOhm30V64A4.826mm10.668mm9.65mm含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB70NF03LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp | 对比 |
| STB75NH02LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK | 对比 |
| STB70NF3LLT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp | 对比 |
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