STMicroelectronics STB75NH02LT4

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

18 ns

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

系列

STripFET™ III

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

24V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

75A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB75N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2050pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 5V

上升时间

200ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

60A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.014Ohm

漏源击穿电压

24V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

辐射硬化

无