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STB55NF06LT4备选型号: NTB23N03R
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- HTS代码
- Reach合规守则
- 资历状况
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 AmpACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON55A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR9918MOhmMatte Tin (Sn)60V鸥翼24555A30STB55N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET95WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING18m Ω @ 27.5A, 10V4.7V @ 250μA1700pF @ 25V37nC @ 4.5V100ns±16V20 ns55A1.7V16V60V220A4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON23A Ta-55°C~150°C TJTube-e0Obsolete1 (Unlimited)2--Tin/Lead (Sn/Pb)25V鸥翼23523A未说明-3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET37.5WDRAIN-N-ChannelSWITCHING45m Ω @ 6A, 10V2V @ 250μA225pF @ 20V3.76nC @ 4.5V14.9ns±20V2 ns23A-20V25V60A-----Non-RoHS Compliant含铅20058541.29.00.95not_compliant不合格6A0.06Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB75NH02LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK | 对比 |
| NTB23N03R | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | 对比 |
 | NTB90N02T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK | 对比 |
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