STB60NF10T4备选型号: STB76NF80
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80AACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9923mOhmMatte Tin (Sn) - annealed100V鸥翼24580A30STB60N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA4270pF @ 25V104nC @ 10V56ns±20V23 ns40A3V20V100V100V485 mJ3 V4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
- MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)STripFET™ II-Obsolete1 (Unlimited)2-EAR999.5mOhm--鸥翼---STB76N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN25 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA3700pF @ 25V160nC @ 10V100ns±20V30 ns80A3V20V80V-700 mJ3 V---无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB80NF10T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 对比 |
![]() | STB76NF80 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II | 对比 |
![]() | IRFS4410ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | 对比 |




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