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首页 全部分类 STB6N65M2 vs SPB04N60S5ATMA1

STB6N65M2备选型号: SPB04N60S5ATMA1

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  • 附加功能
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  • 终端形式
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  • 引脚数量
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STB6N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    3.949996g
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STB6N
    1
    19 ns
    N-Channel
    1.35 Ω @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    226pF @ 100V
    9.8nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    20 ns
    4A
    3V
    25V
    650V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPB04N60S5ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    -
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    55 ns
    N-Channel
    950m Ω @ 2.8A, 10V
    5.5V @ 200μA
    580pF @ 25V
    22.9nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    15 ns
    4.5A
    -
    20V
    600V
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    2005
    e3
    no
    2
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    鸥翼
    4.5A
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    无卤素
    600V
    0.95Ohm
    9A
    无铅
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