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首页 全部分类 STB6N65M2 vs STB6N52K3

STB6N65M2备选型号: STB6N52K3

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  • RoHS状态
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  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STB6N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    3.949996g
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STB6N
    1
    19 ns
    N-Channel
    1.35 Ω @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    226pF @ 100V
    9.8nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    20 ns
    4A
    3V
    25V
    650V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB6N52K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    5A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    245
    30
    STB6N
    -
    10 ns
    N-Channel
    1.2 Ω @ 2.5A, 10V
    4.5V @ 50μA
    670pF @ 50V
    26nC @ 10V
    11ns
    ±30V
    18 ns
    5A
    -
    30V
    525V
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    2
    1.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    70W
    SWITCHING
    5A
    20A
    110 mJ
    无铅
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