STB75NH02LT4备选型号: NTB75N03RG
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 已出版
- HTS代码
- 资历状况
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 24V 60A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON18 nsSTripFET™ IIICut Tape (CT)-55°C~175°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)24V鸥翼24575A30STB75N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET80WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 30A, 10V1.8V @ 250μA2050pF @ 15V22nC @ 5V200ns±20V25 ns60A20V0.014Ohm24V240ANon-RoHS Compliant无------
- MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装-SILICON9.7A Ta 75A Tc-Tube-55°C~150°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)2-Tin (Sn)25V鸥翼26075A未说明-3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET74.4WDRAIN-N-ChannelSWITCHING8m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1333pF @ 20V13.2nC @ 10V-±20V-75A20V0.013Ohm25V225A符合RoHS标准-20068541.29.00.95不合格9.7A71.7 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTB4302T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | 对比 |
![]() | STB70NF3LLT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp | 对比 |
| NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |




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