STB7ANM60N备选型号: STD9N60M2
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 生命周期状态
- 电阻
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB35A TcAutomotive, AEC-Q101, MDmesh™ IITape & Reel (TR)150°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99STB7AN1Single7 nsN-Channel900m Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250mA363pF @ 50V14nC @ 10V10ns±25V12 ns5A25V600V2.4mm6.6mm6.2mmROHS3 Compliant无-----
- MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M216 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6325.5A TcMDmesh™ II PlusCut Tape (CT)150°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99STD9N-Single8.8 nsN-Channel780m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA320pF @ 100V10nC @ 10V7.5ns±25V13.5 ns5.5A25V650V2.4mm6.6mm6.2mmROHS3 Compliant无ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)780mOhm60W600V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD9N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 | 对比 |
![]() | FDD8N50NZTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM II, 500 V, 6.5 A, 850 mO, DPAK | 对比 |
![]() | STD9NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK | 对比 |





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