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STB80N4F6AG备选型号: FDB8896-F085
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, STripFET™活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STB80NN-Channel6m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA2150pF @ 25V36nC @ 10V40V±20V80AROHS3 Compliant-----------------------
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB19A Ta 93A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)-26030-N-Channel5.7m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA2525pF @ 15V67nC @ 10V-±20V93A符合RoHS标准31.31247gSILICONe3yes2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET80WDRAIN9 nsSWITCHING102ns44 ns20V19A0.0068Ohm30V74 mJ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB80N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 | 对比 |
| FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
| FDB8896-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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