STBV45G-AP备选型号: APT27ZTR-G1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 极性
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 连续集电极电流
- TRANS NPN 400V 0.75A TO-92AP通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)SILICON400V150°C TJTape & Box (TB)e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)950mWBOTTOM未说明unknown未说明STBV453O-PBCY-T3不合格Single950mWSWITCHINGNPNNPN1.5V750mA5 @ 400mA 5V250μA1.5V @ 135mA, 400mA400V9VROHS3 Compliant---------
- Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)-450V-55°C~150°C TJTape & Box (TB)-活跃1 (Unlimited)---800mW--------Single800mW--NPN500mV800mA15 @ 100mA 10V10μA500mV @ 40mA, 200mA450V9VROHS3 CompliantTO-92453.59237mg500mV2014150°C-55°CNPN450V800mA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT27ZTR-G1 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces | 对比 |




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