STD100N3LF3备选型号: STD60NF3LLT4

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    31 ns
    STripFET™ II
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    4.5mOhm
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    30
    STD10
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2060pF @ 25V
    27nC @ 5V
    205ns
    ±20V
    35 ns
    80A
    20V
    30V
    500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    NRND (Last Updated: 7 months ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    60A Tc
    STripFET™ II
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    9.5mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    260
    30
    STD60N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    100W
    -
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 30A, 10V
    1V @ 250μA
    2210pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    130ns
    ±16V
    36.5 ns
    60A
    16V
    30V
    700 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    30V
    60A
    TO-252AA
    240A
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