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首页 全部分类 STD10P10F6 vs AUIRFR5410

STD10P10F6备选型号: AUIRFR5410

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  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STD10P10F6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 100V 10A
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    10A Tc
    175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ F6
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STD10
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    864pF @ 80V
    16.5nC @ 10V
    100V
    ±20V
    10A
    0.18Ohm
    40A
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFR5410
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    66W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    205m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 250μA
    760pF @ 25V
    58nC @ 10V
    100V
    ±20V
    13A
    0.205Ohm
    52A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 Weeks
    Tin
    3
    2006
    e3
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    Single
    66W
    15 ns
    58ns
    46 ns
    -2V
    TO-252AA
    20V
    -100V
    6.22mm
    6.73mm
    2.39mm
    无SVHC
    无
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