Infineon Technologies AUIRFR5410

工厂交货时间

13 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

66W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

系列

HEXFET®

已出版

2006

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

66W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

205m Ω @ 7.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

760pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 10V

上升时间

58ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

46 ns

连续放电电流(ID)

13A

阈值电压

-2V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.205Ohm

漏源击穿电压

-100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.39mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅