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首页 全部分类 STD110N8F6 vs IPD90N06S4L05ATMA2

STD110N8F6备选型号: IPD90N06S4L05ATMA2

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 工厂交货时间
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STD110N8F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ F6
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD11
    N-Channel
    6.5m Ω @ 40A, 10V
    4.5V @ 250μA
    9130pF @ 40V
    150nC @ 10V
    80V
    ±20V
    80A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD90N06S4L05ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    4.6m Ω @ 90A, 10V
    2.2V @ 60μA
    8180pF @ 25V
    110nC @ 10V
    -
    ±16V
    90A
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    3
    3.949996g
    SILICON
    2009
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    4ns
    13 ns
    16V
    60V
    0.0046Ohm
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