Infineon Technologies IPD90N06S4L05ATMA2
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IPD90N06S4L05ATMA2
1211-IPD90N06S4L05ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
1最小包装量--
IPD90N06S4L05ATMA2详情
Infineon Technologies IPD90N06S4L05ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
107W Tc
Turn Off Delay Time
80 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 60μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.6m Ω @ 90A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8180pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
上升时间
4ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
60V
漏极-源极导通最大电阻
0.0046Ohm
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD90N06S4L05ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
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