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首页 全部分类 STD11N50M2 vs IPD60R460CEATMA1

STD11N50M2备选型号: IPD60R460CEATMA1

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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STD11N50M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STD11
    N-Channel
    530m Ω @ 4A, 10V
    4V @ 250μA
    395pF @ 100V
    12nC @ 10V
    500V
    ±25V
    8A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R460CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    9.1A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    -
    N-Channel
    460m Ω @ 3.4A, 10V
    3.5V @ 280μA
    620pF @ 100V
    28nC @ 10V
    600V
    ±20V
    9.1A
    符合RoHS标准
    无铅
    3.949996g
    SILICON
    2014
    yes
    2
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    9ns
    10 ns
    20V
    0.46Ohm
    26A
    600V
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