STD11N65M5备选型号: STD13N60M2
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 箱体转运
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON9A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)2EAR99480MOhm鸥翼STD11R-PSSO-G2Single增强型MOSFET85W23 nsN-ChannelSWITCHING480m Ω @ 4.5A, 10V5V @ 250μA620pF @ 100V17nC @ 10V±25V9A25V9A650V2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET N-CH 600V 11A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-632SILICON11A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)2EAR99380mOhm鸥翼STD13-Single增强型MOSFET110W11 nsN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA580pF @ 100V17nC @ 10V±25V11A25V-650V2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅DRAIN10ns600V9.5 ns44A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD13NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | 对比 |
![]() | FCD380N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK | 对比 |
![]() | STD13N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD13N65M2 | 对比 |





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