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STD11N65M5备选型号: STD13N65M2

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  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • STMicroelectronics
    STD11N65M5
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    9A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ V
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    480MOhm
    鸥翼
    STD11
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    85W
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    480m Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    620pF @ 100V
    17nC @ 10V
    ±25V
    9A
    25V
    9A
    650V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD13N65M2
    STMicroelectronics
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD13N65M2
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    10A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    STD13
    -
    Single
    -
    -
    11 ns
    N-Channel
    -
    430m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    590pF @ 100V
    17nC @ 10V
    ±25V
    10A
    25V
    -
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    未说明
    未说明
    650V
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