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首页 全部分类 STD12N50M2 vs IPD65R380E6ATMA1

STD12N50M2备选型号: IPD65R380E6ATMA1

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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STD12N50M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD12
    Single
    N-Channel
    380m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    550pF @ 100V
    15nC @ 10V
    500V
    ±30V
    10A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R380E6ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    10.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ E6
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    380m Ω @ 3.2A, 10V
    3.5V @ 320μA
    710pF @ 100V
    39nC @ 10V
    -
    ±20V
    10.6A
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    SILICON
    2008
    e3
    2
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    7ns
    8 ns
    TO-252AA
    20V
    650V
    29A
    215 mJ
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