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STD12N50M2备选型号: STD16N50M2

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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • STMicroelectronics
    STD12N50M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD12
    Single
    N-Channel
    380m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    550pF @ 100V
    15nC @ 10V
    500V
    ±30V
    10A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD16N50M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 13A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    110W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD16
    -
    N-Channel
    280m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    710pF @ 100V
    19.5nC @ 10V
    500V
    ±25V
    13A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.949996g
    1
    Single
    9.6 ns
    7.6ns
    10 ns
    25V
    550V
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