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STD13N60M2备选型号: STD16N60M2

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  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 基本部件号
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • STMicroelectronics
    STD13N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    380mOhm
    鸥翼
    STD13
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    580pF @ 100V
    17nC @ 10V
    10ns
    600V
    ±25V
    9.5 ns
    11A
    25V
    650V
    44A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD16N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    12A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    STD16
    Single
    -
    -
    -
    10.5 ns
    N-Channel
    -
    320m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 100V
    19nC @ 10V
    -
    600V
    ±25V
    -
    12A
    25V
    -
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    未说明
    未说明
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