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首页 全部分类 STD15N60M2-EP vs IPD50R380CEAUMA1

STD15N60M2-EP备选型号: IPD50R380CEAUMA1

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 场效应管特性
  • 高度
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STD15N60M2-EP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2-EP
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STD15
    N-Channel
    378m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    590pF @ 100V
    17nC @ 10V
    600V
    ±25V
    11A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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  • Infineon Technologies
    IPD50R380CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    14.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    -
    N-Channel
    380m Ω @ 3.2A, 13V
    3.5V @ 260μA
    584pF @ 100V
    24.8nC @ 10V
    -
    ±20V
    14.1A
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    2008
    yes
    2
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    98W
    DRAIN
    7.2 ns
    SWITCHING
    无卤素
    3V
    20V
    500V
    500V
    150°C
    超级交界处
    2.55mm
    含铅
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