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STD18N65M5备选型号: FCD7N60TM
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 无铅代码
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 650V 15A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON15A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)2EAR99220mOhm鸥翼260STD18R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN36 nsN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 7.5A, 10V5V @ 250μA1240pF @ 100V31nC @ 10V7ns±25V9 ns15A25V650V60A2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET N-CH 600V 7A DPAKACTIVE (Last Updated: 4 days ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperFET™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99600MOhm鸥翼-FCD7N60R-PSSO-G2Single增强型MOSFET83WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING600m Ω @ 3.5A, 10V5V @ 250μA920pF @ 25V30nC @ 10V55ns±30V32 ns7A30V600V-2.39mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅260.37mg2013yesSMD/SMT600V7A5V7A600V5 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD18N55M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Mosfet Transistor, N Channel, 13 A, 550 V, 0.18 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes | 对比 |
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V 12A DPAK | 对比 |
| FCD7N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK | 对比 |
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