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STD18N65M5备选型号: STD16N65M5
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 阈值电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 650V 15A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON15A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)2EAR99220mOhm鸥翼260STD18R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN36 nsN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 7.5A, 10V5V @ 250μA1240pF @ 100V31nC @ 10V7ns±25V9 ns15A25V650V60A2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N-CH 650V 12A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON12A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)2EAR99299mOhm鸥翼260STD16R-PSSO-G2Single增强型MOSFET90WDRAIN25 nsN-ChannelSWITCHING299m Ω @ 6A, 10V5V @ 250μA1250pF @ 100V45nC @ 10V9ns±25V7 ns12A25V650V48A2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅ULTRA-LOW RESISTANCE3034V200 mJ无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD13N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | 对比 |
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V 12A DPAK | 对比 |
 | FCD7N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK | 对比 |
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