STD26P3LLH6备选型号: FDD6670A
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 40W; DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON12A Tc175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VI活跃1 (Unlimited)2EAR995.5mOhm鸥翼STD26PR-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN15 nsP-ChannelSWITCHING30m Ω @ 6A, 10V2.5V @ 250μA1450pF @ 25V12nC @ 4.5V15ns30V±20V21 ns12A-2.5V20V-30V48A2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET N-CH 30V 15A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON15A Ta 66A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®活跃1 (Unlimited)2EAR998MOhm鸥翼-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFETDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 15A, 10V3V @ 250μA1755pF @ 15V22nC @ 5V12ns-±20V19 ns66A1.8V20V30V-2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)10 WeeksTin260.37mg2005e3yesSMD/SMT快速切换30V66A70W30V67 mJ1.8 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD8882 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 30V N-Channel PowerTrenchAr MOSFET | 对比 |
![]() | FDD6670A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK | 对比 |
![]() | STD40NF03LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |




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