STD26P3LLH6备选型号: FDD6670A

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终端
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 40W; DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    12A Tc
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    5.5mOhm
    鸥翼
    STD26P
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1450pF @ 25V
    12nC @ 4.5V
    15ns
    30V
    ±20V
    21 ns
    12A
    -2.5V
    20V
    -30V
    48A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 15A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    15A Ta 66A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8MOhm
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    1755pF @ 15V
    22nC @ 5V
    12ns
    -
    ±20V
    19 ns
    66A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
    10 Weeks
    Tin
    260.37mg
    2005
    e3
    yes
    SMD/SMT
    快速切换
    30V
    66A
    70W
    30V
    67 mJ
    1.8 V
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