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STD2N105K5备选型号: IPD80R4K5P7ATMA1
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- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-631.5A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ K5活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STD2N105SingleN-Channel8 Ω @ 750mA, 10V5V @ 100μA115pF @ 100V10nC @ 10V1050V±30V1.5AROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK18 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-631.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明-SINGLE WITH BUILT-IN DIODEN-Channel4.5 Ω @ 400mA, 10V3.5V @ 200μA80pF @ 500V4nC @ 10V800V±20V1.5AROHS3 Compliant-SILICON2013e3yes2Tin (Sn)SINGLE鸥翼not_compliantR-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHINGTO-252AA2.6A800V1 mJ超级交界处- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK | 对比 |
 | FQD2N90TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | 对比 |
 | IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel 800 V 2.8 O 12 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK | 对比 |
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