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首页 全部分类 STD2N62K3 vs STF4N52K3

STD2N62K3备选型号: STF4N52K3

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • JEDEC-95代码
  • STMicroelectronics
    STD2N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    2.2A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    3.6Ohm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    STD2N62
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6 Ω @ 1.1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    340pF @ 50V
    15nC @ 10V
    4.4ns
    ±30V
    22 ns
    2.2A
    3.75V
    30V
    620V
    8.8A
    85 mJ
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF4N52K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP
    -
    -
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    20W Tc
    150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    2.6Ohm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    STF4N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    20W
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.6 Ω @ 1.25A, 10V
    4.5V @ 50μA
    334pF @ 100V
    11nC @ 10V
    7ns
    ±30V
    14 ns
    2.5A
    3.75V
    30V
    525V
    -
    -
    2.4mm
    7mm
    6.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn) - annealed
    TO-252
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