STF4N52K3
STF4N52K3

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STMicroelectronics STF4N52K3

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型号

STF4N52K3

utmel 编号

2381-STF4N52K3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP

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STF4N52K3
STF4N52K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP

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STF4N52K3详情

STMicroelectronics STF4N52K3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 安装类型

    通孔

  • 底架

    Surface Mount, Through Hole

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Power Dissipation (Max)

    20W Tc

  • Number of Elements

    1

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    2.5A Tc

  • Turn Off Delay Time

    21 ns

  • 包装

    Tube

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 系列

    SuperMESH3™

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    2.6Ohm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 附加功能

    ULTRA-LOW RESISTANCE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 基本部件号

    STF4N

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    20W

  • 接通延迟时间

    8 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.6 Ω @ 1.25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 50μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    334pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    11nC @ 10V

  • 上升时间

    7ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    14 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.5A

  • 阈值电压

    3.75V

  • JEDEC-95代码

    TO-252

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    525V

  • 长度

    7mm

  • 高度

    2.4mm

  • 宽度

    6.6mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STF4N52K3相似的参数规格。

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