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STD2N80K5备选型号: STD3N80K5

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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
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  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STD2N80K5
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH5™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STD2N80
    1
    Single
    8 ns
    N-Channel
    4.5 Ω @ 1A, 10V
    5V @ 100μA
    95pF @ 100V
    3nC @ 10V
    2A
    30V
    800V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD3N80K5
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    2.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH5™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STD3N
    -
    Single
    8.5 ns
    N-Channel
    3.5 Ω @ 1A, 10V
    5V @ 100μA
    130pF @ 100V
    9.5nC @ 10V
    2.5A
    30V
    800V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    SWITCHING
    7.5ns
    25 ns
    65 mJ
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