STD30N6LF6AG备选型号: HUFA76429D3S

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 24A
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    40W Tc
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
    Cut Tape (CT)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STD30N
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 12A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1320pF @ 25V
    26nC @ 10V
    60V
    ±20V
    24A
    0.03Ohm
    96A
    60V
    130 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    20A Tc
    UltraFET™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    -
    23m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1480pF @ 25V
    46nC @ 10V
    -
    ±16V
    20A
    0.029Ohm
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    2001
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    60V
    20A
    不合格
    Single
    110W
    36ns
    56 ns
    TO-252AA
    16V
    60V
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