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STD30N6LF6AG备选型号: IPD30N06S4L23ATMA2
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- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 已出版
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 60V 24ATO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装SILICON40W TcAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Cut Tape (CT)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明STD30NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 12A, 10V2.5V @ 250μA1320pF @ 25V26nC @ 10V60V±20V24A0.03Ohm96A60V130 mJROHS3 Compliant无铅---------------
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装SILICON30A TcAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2--鸥翼未说明未说明-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 10μA1560pF @ 25V21nC @ 10V-±16V30A-120A-18 mJROHS3 Compliant-12 Weeks32009yesnot_compliantSingle4 ns无卤素1ns3 ns16V60V2.41mm6.73mm6.22mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HUFA76429D3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | 对比 |
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 | 对比 |
| IPD30N06S2L23ATMA3 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
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