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首页 全部分类 STD35NF06T4 vs NTD5413NT4G

STD35NF06T4备选型号: NTD5413NT4G

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 资历状况
  • STMicroelectronics
    STD35NF06T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.535924g
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    20mOhm
    60V
    鸥翼
    260
    35A
    30
    STD35
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 17.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    60nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    15 ns
    35A
    TO-252AA
    20V
    60V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD5413NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET 30A, 60V, 26mOhms N-Channel
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    -
    SILICON
    30A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    26MOhm
    -
    鸥翼
    260
    -
    40
    -
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    68W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    1725pF @ 25V
    46nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    8 ns
    30A
    -
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2008
    yes
    Tin (Sn)
    不合格
  • 添加型号
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