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STD35NF3LLT4备选型号: AUIRLR2703TRL

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  • 引脚数量
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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STD35NF3LLT4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    19.5mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    低阈值
    30V
    鸥翼
    35A
    STD35
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19.5m Ω @ 17.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    800pF @ 25V
    17nC @ 5V
    100ns
    ±16V
    21 ns
    35A
    2.5V
    TO-252AA
    16V
    30V
    30V
    2.5 V
    6.8mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRLR2703TRL
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 14A, 10V
    1V @ 250μA
    450pF @ 25V
    15nC @ 4.5V
    140ns
    -
    20 ns
    23A
    -
    TO-252AA
    16V
    30V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    16 Weeks
    Tin
    260
    30
    20A
    0.045Ohm
    96A
    200 mJ
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