STMicroelectronics STD35NF3LLT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

19.5mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

30V

终端形式

鸥翼

额定电流

35A

基本部件号

STD35

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19.5m Ω @ 17.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 5V

上升时间

100ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

35A

阈值电压

2.5V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

栅源电压

2.5 V

宽度

6.8mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅