STD3NM60N备选型号: FDD5N50NZFTM

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    3.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1.8Ohm
    鸥翼
    STD3N
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8 Ω @ 1.65A, 10V
    4V @ 250μA
    188pF @ 50V
    9.5nC @ 10V
    9.5ns
    ±25V
    31 ns
    3.3A
    25V
    600V
    86 mJ
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    3.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET-II™
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.75 Ω @ 1.85A, 10V
    5V @ 250μA
    485pF @ 25V
    12nC @ 10V
    19ns
    ±25V
    22 ns
    3.7A
    25V
    500V
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    -
    260.37mg
    2004
    e3
    yes
    Tin (Sn)
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