STMicroelectronics STD3NM60N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ II

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.8Ohm

终端形式

鸥翼

基本部件号

STD3N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8 Ω @ 1.65A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

188pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.5nC @ 10V

上升时间

9.5ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

31 ns

连续放电电流(ID)

3.3A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

86 mJ

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅