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首页 全部分类 STD47N10F7AG vs IPD50N10S3L16ATMA1

STD47N10F7AG备选型号: IPD50N10S3L16ATMA1

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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STD47N10F7AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 45A
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD47
    N-Channel
    18m Ω @ 22.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1640pF @ 50V
    25nC @ 10V
    100V
    ±10V
    45A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N10S3L16ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    15m Ω @ 50A, 10V
    2.4V @ 60μA
    4180pF @ 25V
    64nC @ 10V
    -
    ±20V
    50A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    14 Weeks
    3
    SILICON
    2011
    e3
    2
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    无卤素
    5ns
    20V
    100V
    0.0199Ohm
    200A
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