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首页 全部分类 STD47N10F7AG vs IRFR4510TRPBF

STD47N10F7AG备选型号: IRFR4510TRPBF

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STD47N10F7AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 45A
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD47
    N-Channel
    18m Ω @ 22.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1640pF @ 50V
    25nC @ 10V
    100V
    ±10V
    45A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRFR4510TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 56A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    N-Channel
    13.9m Ω @ 38A, 10V
    4V @ 100μA
    3031pF @ 50V
    81nC @ 10V
    100V
    ±20V
    56A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    3
    SILICON
    2004
    e3
    2
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    143W
    DRAIN
    18 ns
    SWITCHING
    34 ns
    3V
    TO-252AA
    20V
    252A
    3 V
    无SVHC
    无
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