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STD5N95K5备选型号: IPD70R2K0CEAUMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 无卤素
- Vgs（最大值）
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.949996gSILICON3.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH5™活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼STD5NR-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING2.5 Ω @ 1.5A, 10V5V @ 100μA220pF @ 100V12.5nC @ 10V16ns25 ns3.5A30V950V70 mJ2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-CH TO252-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63--SILICON4A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™活跃1 (Unlimited)2-鸥翼-R-PSSO-G2--增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING2 Ω @ 1A, 10V3.5V @ 70μA163pF @ 100V7.8nC @ 10V--4A--11 mJ----ROHS3 Compliant含铅2013e3Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素±20V700V2Ohm6.3A超级交界处- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCD2250N80Z | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3 | 对比 |
| STD6N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
 | DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET Transistor PNP 30Vceo | 对比 |
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