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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.696876
10
¥8.204601
100
¥7.740188
500
¥7.302063
1000
¥6.88874
STMicroelectronics STD6N80K5
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- 对比
STD6N80K5
2381-STD6N80K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STD6N80K5详情
STMicroelectronics STD6N80K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
制造商包装标识符
DPAK-0068772_type-E
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
85W Tc
Turn Off Delay Time
28.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
SuperMESH5™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STD6N
通道数量
1
功率耗散
85W
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
255pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
30V
连续放电电流(ID)
4.5A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
800V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
2.52mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STD6N80K5拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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