STD6N60M2备选型号: FDD7N60NZTM
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M216 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6334.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)EAR991.2OhmSTD6N1Single9.5 nsN-Channel1.2 Ω @ 2.25A, 10V4V @ 250μA232pF @ 100V8nC @ 10V7.4ns±25V22.5 ns4.5A25V600V2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET N-Channel 600V 5.5A4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6335.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET-II™活跃1 (Unlimited)EAR99---Single17.5 nsN-Channel1.25 Ω @ 2.75A, 10V5V @ 250μA730pF @ 25V17nC @ 10V-±25V-5.5A25V600V2.39mm6.73mm6.22mm-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)260.37mgSILICONe3yes2Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2增强型MOSFET90WDRAINSWITCHINGTO-252AA22A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD7N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK | 对比 |
![]() | FDD7N60NZTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Channel 600V 5.5A | 对比 |
![]() | FCD5N60TM-WS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | 对比 |





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