STD75N3LLH6备选型号: STD100N3LF3
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 电阻
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VIe3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealedSINGLE鸥翼260STD75N3R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET60WDRAIN9.5 nsN-ChannelSWITCHING5.5m Ω @ 37.5A, 10V2.5V @ 250μA1690pF @ 25V17nC @ 4.5V30ns30V±20V12 ns75A1.7V20V0.008Ohm2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant-------
- Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON31 ns-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3-活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)-鸥翼260STD103R-PSSO-G2-增强型MOSFET110WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING5.5m Ω @ 40A, 10V2.5V @ 250μA2060pF @ 25V27nC @ 5V205ns-±20V35 ns80A-20V-----无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)4.5mOhm30Single30V500 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD050N03B | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | 对比 |
![]() | STD100N3LF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
| NTD85N02RT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK | 对比 |




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