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首页 全部分类 STD7ANM60N vs IPD50R650CEAUMA1

STD7ANM60N备选型号: IPD50R650CEAUMA1

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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • STMicroelectronics
    STD7ANM60N
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 5A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    5A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STD7
    1
    Single
    7 ns
    N-Channel
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    363pF @ 50V
    14nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    12 ns
    5A
    25V
    600V
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R650CEAUMA1
    Infineon Technologies
    CONSUMER
    18 Weeks
    表面贴装
    -
    TO-252-3
    3
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    -
    1
    Single
    6 ns
    -
    -
    -
    -
    -
    5ns
    -
    13 ns
    6.1A
    20V
    500V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3.949996g
    2008
    yes
    2
    150°C
    -55°C
    47W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    47W
    DRAIN
    SWITCHING
    500V
    N-CHANNEL
    342pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    650mOhm
    650 mΩ
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