STD7ANM60N备选型号: SPD06N60C3ATMA1
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- 安装类型
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
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- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- Trans MOSFET N-CH 600V 5A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6335A Tc150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II活跃1 (Unlimited)EAR99STD71Single7 nsN-Channel900m Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA363pF @ 50V14nC @ 10V10ns±25V12 ns5A25V600V4.6mm10.4mm9.35mm无ROHS3 Compliant无铅------------
- Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-2528 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6336.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™不用于新设计1 (Unlimited)----7 nsN-Channel750mOhm @ 3.9A, 10V3.9V @ 260μA620pF @ 25V31nC @ 10V12ns±20V10 ns6.2A20V-----ROHS3 Compliant无铅PG-TO252-3-12005150°C-55°C650V6.2A74W600V600V620pF680mOhm750 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD60R750E6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| IPD50R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3 | CONSUMER | 对比 | |
![]() | NDD60N900U1T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3 | 对比 |





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