STD9N40M2备选型号: IPD50R800CEATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- MOSFET N-CH 400V 6A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-636A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STD9NN-Channel800m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA270pF @ 100V8.8nC @ 10V400V±25V6AROHS3 Compliant-----------
- Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R--表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-635A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CEObsolete3 (168 Hours)----N-Channel800mOhm @ 1.5A, 13V3.5V @ 130μA280pF @ 100V12.4nC @ 10V500V±20V5A符合RoHS标准3PG-TO252-32012150°C-55°C6.2 ns5.5ns15.9 ns20V280pF800 mΩ
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD50R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3 | CONSUMER | 对比 | |
![]() | IPD50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |




哦! 它是空的。