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首页 全部分类 STD9NM40N vs IPD50R650CEAUMA1

STD9NM40N备选型号: IPD50R650CEAUMA1

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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • STMicroelectronics
    STD9NM40N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    5.6A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    260
    not_compliant
    30
    STD9N
    Single
    60W
    N-Channel
    790m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    365pF @ 50V
    14nC @ 10V
    4.4ns
    ±25V
    8.8 ns
    5.6A
    25V
    400V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R650CEAUMA1
    Infineon Technologies
    CONSUMER
    -
    表面贴装
    -
    TO-252-3
    3
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    Single
    47W
    -
    -
    -
    -
    -
    5ns
    -
    13 ns
    6.1A
    20V
    500V
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    3.949996g
    2008
    yes
    2
    150°C
    -55°C
    47W
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6 ns
    SWITCHING
    500V
    N-CHANNEL
    342pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    650mOhm
    650 mΩ
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